Государственные стандарты (ГОСТ)

Вы видите список ГОСТов, найденных в базе данных по Вашему запросу.

Для сужения зоны поиска, Вы можете задать коды ОКС и/или группы, к которым может относиться искомый документ. Код можно найти в справочнике, который вызывается нажатием соответствующей кнопки в окне «Поиск ГОСТ».

найдено: 129 документов (7 стр.) Страницы:   1   2  3  4  5  6  7

Номер ГОСТ Название Группа ОКС Стр Цена   ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые. Т52 01.080.40 31.080 18 1080 ГОСТ 4.137-85 СПКП. Приборы полупроводниковые силовые. Номенклатура показателей. Т51 03.120 31.080 17 1020 ГОСТ 18577-80 Устройства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения. П00 01.040.31 31.080 6 500 ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Метод измерения порогового напряжения и напряжения отсечки. Э29 31.080.30 2 500 ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока. Э29 31.080.30 3 500 ГОСТ 20398.9-80 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме. Э29 31.080.30 5 500 ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости. Э29 31.080.30 7 500 ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей. Э29 31.080.30 9 540 ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора. Э29 31.080.30 3 500 ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи. Э29 31.080.30 3 500 ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума. Э29 31.080.30 6 500 ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики. Э29 31.080.30 8 500 ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Методы измерения мощности излучения. Э29 31.080.10 8 500 ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые излучающие инфракрасные. Метод измерения временных параметров импульса излучения. Э29 31.080.10 8 500 ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров. Э29 31.080.30 3 500 ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров. Э29 31.080.99 7 500 ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости. Э29 31.080.99 11 660 ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии, излучения и ширины спектра излучения. Э29 31.080.99 9 540 ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты. Э29 31.080.10 5 500 ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления. Э29 31.080.10 22 1320

найдено: 129 документов (7 стр.) Страницы:   1   2  3  4  5  6  7