Государственные стандарты (ГОСТ)

Вы видите список ГОСТов, найденных в базе данных по Вашему запросу.

Для сужения зоны поиска, Вы можете задать коды ОКС и/или группы, к которым может относиться искомый документ. Код можно найти в справочнике, который вызывается нажатием соответствующей кнопки в окне «Поиск ГОСТ».

найдено: 129 документов (7 стр.) Страницы:  1  2  3  4  5   6   7

Номер ГОСТ Название Группа ОКС Стр Цена   ГОСТ 18472-88 Приборы полупроводниковые. Основные размеры. Э02 31.080 106 6360 ГОСТ 24352-80 Излучатели полупроводниковые. Основные параметры. Э02 31.080.99 5 500 ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры. Э02 31.080.10 14 840 ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры. Э02 31.080.30 11 660 ГОСТ 23448-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры. Э02 31.080.79 15 900 ГОСТ 24041-80 Таситроны. Основные параметры. Э02 31.080 3 500 ГОСТ 24173-80 Тиристоры. Основные параметры. Э02 31.080.20 4 500 ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний. Е69 29.200 31.080 67 4020 ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений. Е69 29.200 31.080.30 19 1140 ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Э00 01.040.31 31.080.30 19 1140 ГОСТ 20332-84 Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Э00 01.040.31 31.080.20 30 1800 ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения. Э00 01.040.31 31.080 31 1860 ГОСТ 17704-72 Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений. Э00 01.040.31 31.080 4 500 ГОСТ 19095-73 Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Э00 01.040.31 31.080.30 17 1020 ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения. Э00 01.040.31 31.080 38 2280 ГОСТ 25529-82 Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Э00 01.040.31 31.080.10 29 1740 ГОСТ 27299-87 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. Э00 01.040.31 31.080 17 1020 ГОСТ 30617-98 Модули полупроводниковые силовые. Общие технические условия. Е65 31.080.99 39 2340 ГОСТ 24607-88 Преобразователи частоты полупроводниковые. Общие технические требования. Е65 29.200 31.080 31 1860 ГОСТ 27591-88 Модули полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры. Е65 29.200 31.080 6 500

найдено: 129 документов (7 стр.) Страницы:  1  2  3  4  5   6   7